海力士研制全球首款30納米4GB DDR3內(nèi)存芯片
2010/12/30
12月30日消息，據(jù)國外媒體報道，全球第二大內(nèi)存芯片廠商海力士半導體星期三稱，它已經(jīng)開發(fā)出一種新的基于30納米技術的內(nèi)存芯片。這個里程碑式的事件可能會幫助海力士渡過全球半導體市場的衰退。
海力士在聲明中說，它開發(fā)出了使用30納米技術的全球第一個4GB DDR3內(nèi)存。這種新的芯片主要面向高端服務器和PC市場，提供比目前采用40納米技術制作的內(nèi)存芯片更快的速度并且將效率提高70%。
海力士在明年第一季度還將生產(chǎn)采用30納米技術的其它小容量的DRAM內(nèi)存芯片。這種最新產(chǎn)品的生產(chǎn)將在未來幾個月之內(nèi)實施。
專家說，此舉表明海力士正在從40至50納米技術向30至40納米技術過渡。采用高級的技術，芯片廠商能夠顯著降低生產(chǎn)成本和得到更多的利潤。
Kiwoom證券公司技術行業(yè)研究負責人Kim Seong-in說，臺灣和日本的企業(yè)仍在重點使用50至60納米技術。而海力士正在向30至40納米技術過渡。成本競爭優(yōu)勢種的這個差距將擴大。
Kim補充說，此舉還將幫助韓國芯片廠商通過降低生產(chǎn)成本應對半導體行業(yè)最近的衰退。
據(jù)LIG投資與證券公司分析師Kim Young-jun說，2010年第四季度全球PC需求低于預期促使內(nèi)存芯片價格下降。12月份的2GB DDR3 DRAM內(nèi)存價格比三個月前下降了54%。
[向上]
